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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.127: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Feldinduzierte optische Effekte in parabolischen GaAs/AlGaAs-Quantentopfstrukturen — •U. Klütz¹, W. Geißelbrecht¹, U. Sahr¹, G.H. Döhler¹, K. Maranowski², K. Campman² und A.C. Gossard² — ¹Institut für Technische Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — ²Materials Department, University of California, Santa Barbara, USA

Quantentopfstrukturen, deren effektive Bandkantenenergie im Valenz- und Leitungsband quadratisch über den Ort variiert, weisen bei geeigneter Wahl der Parameter ein komplexes Wechselspiel verschiedener Effekte in der Interband-Elektroabsorption auf. Ursache dafür ist, daß in solchen Strukturen, die unter Verwendung kurzperiodiger GaAs/AlGaAs-Übergitter molekularstrahlepitaktisch hergestellt werden können, mit zunehmendem elektrischen Feld in Wachstumsrichtung sich nicht nur die effektive Bandlückenenergie verringert, sondern auch die einhüllenden Wellenfunktionen der Loch- und Elektron-Subbandzustände immer stärker räumlich gegeneinander verschoben werden. Dies hat neben einer quadratischen Absenkung der Übergangsenergien auch eine systematische Variation der Oszillatorstärken der einzelnen Interband-Subbandübergänge zur Folge. Wir berichten über eine systematische experimentelle und theoretische Untersuchung der elektro-optischen Eigenschaften von parabolischen GaAs/AlGaAs-Quantentopfstrukturen über einen ausgedehnten Energie- und Feldbereich hinweg und stellen Vergleiche zu herkömmlichen, rechteckförmigen Quantentopfstrukturen an.