Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.12: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Temperaturabhängigkeit der effektiven Elektronenmasse von InSb aus Messungen der Magneto-Phonon-Resonanz, des Schubnikow- de Haas-Effektes und der Raman-Streuung — •S. Krull¹, D. Schneider¹, G. Irmer² und P. Verma² — ¹Institut für Technische Physik und Hochmagnetfeldanlage, TU Braunschweig — ²Institut für Theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg

Es werden Messungen der Magneto-Phonon-Resonanz an massivem InSb (n=1· 10¹⁴ cm⁻³, µ=5,5 · 10⁵ cm²/Vs) durchgeführt. Die Bestimmung des fundamentalen Magnetfeldes B₀ erfolgt in einem Temperaturbereich zwischen T=50 K und 320 K durch Anpassung an die Theorie mit Full-Curve-Fit. Die Frequenzen der LO-Phononen ω_LO(T) werden durch Raman-Spektroskopie ermittelt. Daraus wird unter Berücksichtigung der starken Nichtparabolizität und des Polaron-Effektes die effektive Masse m₀^*(T) bestimmt, analog zu [1]. Die Ergebnisse zeigen Übereinstimmung mit der Kane-Theorie, weichen jedoch oberhalb von T=180 K von anderen Messungen [2] ab. An Te-dotierten InSb-Proben (n=1 · 10¹⁷ cm⁻³, µ=6,6· 10⁴ cm²/Vs) wurde der Schubnikow-de Haas-Effekt zur Bestimmung von m₀^* und des g-Faktors bei Temperaturen um T=4,2 K benutzt.

[1] D. Schneider, K. Fricke, J. Schulz, Proc. 23rd. Int. Conf. on ”The Physics of Semiconductors”, Berlin 1996, Vol. 1, p. 221, World Scientific Publ. Co., Singapore 1996.

[2] R. A. Stradling, R. A. Wood, J.Phys. C: Solid St. Phys. 3, L94 (1970).