Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.131: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Ortsaufgelöste Photolumineszenz von (001)- und (113)A-GaAs/
AlAs Übergittern im Vergleich — •A. Oehler, D. Lüerßen und H. Kalt — Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe

Wir vergleichen die ortsaufgelöste Photolumineszenz von gleichzeitig

gewachsenen (001)- und korrugierten (113)A-GaAs/AlAs Übergittern. Bei den untersuchten Proben handelt es sich um Übergitter mit geringen Schichtdicken, die eine im Ortsraum und im k-Raum indirekte Bandstruktur besitzen. Durch die unterschiedlichen Orientierungen der Substrate und die selbstorganisierte Korrugation der invertierten Grenzfläche der (113)A-Übergitter haben wir Zugang zu verschiedenen Arten von Grenzflächenrauhigkeiten und deren Einfluß auf die optischen Eigenschaften (z.B. Anisotropie, Relaxationsprozesse…). Durch die hohe Ortsauflösung sind wir in der Lage, Lumineszenz aus isolierten lokalisierten Zuständen zu beobachten, welche sich als spektral sehr schmale Linien zeigen. Die Halbwertsbreite dieser Linien liegt unterhalb unserer Detektionsauflösung von 0.1 meV. Wir beobachten, daß die Linien bei den (113)A-Übergittern spektral zwischen der Nullphononenlinie und dem GaAs-Phononenwiederholer liegen, während bei den (001)-Übergittern diese im Bereich des AlAs-Phononenwiederholers hervortreten. Dies wird auf die unterschiedlichen Längenskalen der Grenzflächenstörungen zurückgeführt. Wir diskutieren die Mechanismen der Besetzung und Entleerung dieser lokalisierten Exzitonen-Zustände mit Hilfe von Phononen.