Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.138: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Defektspektroskopie an Heteroübergängen aus (n)-amorphem/ (p)-kristallinem Silizium — •M. Rösch, R. Pointmayer, T. Unold und G.H. Bauer — Fachbereich Physik, Carl von Ossietzky Universität Oldenburg

Heteroübergänge aus amorphem und kristallinem Silizium besitzen ein Anwendungspotential in elektronischen Bauelementen, insbesondere in der Photovoltaik. Der Stromtransport am Heteroübergang wird wesentlich beeinflußt von Defekten an oder nahe der Grenzfläche. Um die Defekte zu charakterisieren wurden kapazitive Methoden wie Kapazität-Spannung, thermisch stimulierte Kapazität und Photokapazität angewendet. Zur Bestimmung der Defektdichten wurde ein Modell verwendet, das die Raumladungskapazität und Grenzflächenladungen berücksichtigt. Aus der Temperatur- und Frequenzabhängigkeit kann man die energetische Lage der Defektniveaus bestimmen. Der Einfluß von grenzflächennahen Defekten auf den Stromtransport wird diskutiert.