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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.16: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Struktur und Lumineszenz von homoepitaktischen GaN(0001)-Schichten — •Silke Christiansen¹, Martin Albrecht¹, Horst P. Strunk¹, Carlo Zanotti-Fregonara², Giancarlo Salviati², Markus Mayer³, Arthur Pelzmann³, Markus Kamp³, Izabella Grzygory⁴ und Sylvester Porowski⁴ — ¹Universität Erlangen-Nürnberg, Institut für Werkstoffwissenschaften-Mikrocharakterisierung, Erlangen — ²CNR-MNASPEC, Parma, Italien — ³Universität Ulm, Abt. Optoelektronik, Ulm — ⁴High Pressure Research Centre, Warszawa, Polen

Wir analysieren die rekombinationsaktivität von ausgedehnten Defekten (Versetzungen, planare Defekte) in homoepitaktischen GaN- Schichten. Wir korrelieren spektral und ortsaufgelöste Kathodo- lumineszenz-Untersuchungen mit transmissionselektronenmikrosko- pischen Untersuchungen der Defektstruktur und -verteilung an identischen Probenstellen. Drei Linien dominieren das Kathodolumineszenzspektrum: bandnahe exzitonische Emission bei 3.47 eV, Lumineszenz die an Stapelfehlern gebundene Exzitonen zugeordnet werden kann bei 3.41 eV und Lumineszenz, die bedingt ist durch Einschluesse kubischer Phase bei 3.3 eV. Tiefenabhängige CL-Messungen zeigen nichtstrahlende Rekombination nahe der Grenzfläche die bedingt ist durch die Politur des GaN Substrates. Die Natur dieser nichtstrahlenden Rekombiantionszentren analysiern wir mittels energiedispersiver Röntgenanalyse und mittels Elektronenenergieverlustspektroskopie.