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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.17: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Dekomposition, Ordnung und Polytypie in heteroepitaktischen (Al,Ga)N Schichten: Transmissionselektronenmikroskopie und Kathodolumineszenz — •Martin Albrecht1, Silke Christiansen1, Carlo Zanotti-Fregonara2, Giancarlo Salviati2, Helmut Angerer3, Roman Dimitrov3, Oliver Ambacher3, Martin Stutzmann3 und Horst P. Strunk11Universitaet Erlangen-Nuernberg, Institut für Werkstoffwissenschaften-Mikrocharakterisierung, Erlangen — 2CNR-MASPEC, Parma, Italien — 3Walter-Schottky-Institut, TU München, Garching

Wir berichten über eine kombinierte transmissionselektronenmikopische (TEM) und Kathodolumineszenzstudie (CL) zu Ordnungsphänomenen und Dekomposition in heteroepitaktisch gewachsenen AlGaN-Schichten. Die Schichten werdem mittels plasmainduzierter Molekularstrahlepitaxie bei 850C auf Al2O3(0001)Substraten abgeschieden. Hochauflösende TEM von Legierungen mit Al-Konzentrationen zwischen 30 Ueberstruktur parallel zur c-Achse, die durch eine Aufeinanderfolge von Al- reichen und Ga-reichen Legierungen gekennzeichnet ist. Die Periodizität dieser Struktur liegt zwischen 1,5 nm und 1 nm und ist abhängig von der Zusammensetzung. Aus Kathodolumineszenzuntersuchungen schliessen wir eine Dekomposition in AlN und GaN Schichten. Mit wachsender Al-Konzentration nimmt der Anteil kubischer Phase ebenfalls zu. Kubische Einschlüsse zeigen eine erhöte Al-Konzentration. Wir diskutieren diese Ergebnisse im Rhamen eines thermodynamischen Modells, daßden Einfluss von Verzerrungen und der Wachstumskinetik berücksichtigt.

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