Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.18: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

MOMBE-Wachstum dünner InGaAsP-Vielschichtstrukturen für optoelektronische Bauelemente — •Philipp Kröner¹, Michael Popp², Horst Baumeister³, Markus Keidler², Harald Heinecke² und Eberhard Veuhoff³ — ¹SIEMENS AG, Abt. ZT KM 4 c/o Dr. E. Veuhoff, Otto-Hahn-Ring 6, 81739 München — ²Universität Ulm, Abt. Halbleiterphysik, Albert-Einstein-Allee 45, 89061 Ulm — ³SIEMENS AG, Abt. ZT KM 4, Otto-Hahn-Ring 6, 81739 München

Metallorganische Molekularstrahlepitaxie (MOMBE) ermöglicht die Untersuchung des Wachstumsverhaltens von Heteroschichten unter Ausschluß von Gasphaseneinflüssen. Niedrige Wachstumstemperaturen (≤550∘C) und ein schneller Aufbau vorgegebener Mischungsverhältnisse der Injektorgase am Ort des Substrates erfüllen die Voraussetzungen für hochqualitative Vielschichtstrukturen moderner Bauelemente. Realisiert wurde eine MQW-Laserstruktur mit einer kontinuierlichen Variation des Brechungsindexes zur Wellenführung (GRINSCH). Bei stark verspannten Heterostrukturen spielt die Grenzflächenqualität als Funktion der Verspannung eine zentrale Rolle. Diesbezüglich stellten wir InGaAsP-Quantentopfstrukturen verschieden großer Verspannung her und optimierten sie anhand von optischer und röntgendiffraktometrischer Charakterisierung.