Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.19: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Defektinduzierte Katodolumineszenz in InP und CdTe — •N. Engler, H.S. Leipner, L. Höring und J. Schreiber — Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Fachbereich Physik, D-06099 Halle/Saale

Die optischen Eigenschaften von Verbindungshalbleitern können mit der lokal aufgelösten Katodolumineszenz studiert werden. Es werden Katodolumineszenzuntersuchungen an InP und CdTe gegenübergestellt.

Eine plastische Deformation von Halbleitern mit Zinkblendestruktur erzeugt eine hohe Anzahl von Störstellenniveaus, die als strahlende bzw. nichtstrahlende Rekombinationszentren wirken. Diese Störstellenniveaus sind einerseits an Versetzungen und andererseits an Punktdefekten lokalisiert. Die Defektniveaus werden durch pan- und monochromatische Abbildungen sowie durch lateral aufgelöste Spektren in Abhängigkeit von der Probentemperatur charakterisiert.

Mit der Transmissionselektronenmikroskopie werden die verformungsinduzierten Versetzungsstrukturen bestimmt. Im Vergleich mit den Katodolumineszenzuntersuchungen können Aussagen zum Charakter der Defekte in beiden Materialien getroffen werden.