Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.1: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Optische Nahfeldspektroskopie einzelner Halbleiternanostrukturen bei tiefen Temperaturen — •Ch. Lienau¹, A. Richter¹, M. Süptitz¹, T. Elsaesser¹, M. Ramsteiner², R. Nötzel² und K.H. Ploog² — ¹Max-Born-Institut für Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, D-12489 Berlin — ²Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, D-10177 Berlin

Die optischen Eigenschaften und die Nichtgleichts-Ladungsträgerdynamik quasi-eindimensionaler Quantendrahtstrukturen wurde bisher zumeist an Ensembles solcher Nanostrukturen untersucht, was eine quantitative Analyse des lokalen räumlichen Confinementpotentials wie auch des Ladungsträgertransports erschwert. Experimente mit einer räumlichen Auflösung im Subwellenlängenbereich an einzelnen Quantendrähten geben neue Einblicke in diese Phänomene und ermöglichen eine Trennung des Ladungsträgertransports von der Relaxation innerhalb des Drahtes. Dieses wird in diesem Beitrag diskutiert anhand detaillierter Untersuchungen der nanoskopischen optischen Eigenschaften neuartiger, auf strukturierten hochindizierten GaAs-Substraten gewachsener GaAs Quantendrähte mittels optischer Nahfeldspektroskopie im Temperaturbereich zwischen 10 und 300 K [1].

[1] A. Richter, G. Behme, M. Süptitz, Ch. Lienau, T. Elsaesser, M. Ramsteiner, R. Nötzel, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 79, 2145 (1997).