Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.27: Poster
Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A
Generationsratenabhängigkeit der Photostromantwort in amorphen Halbleitern — •H. Cordes und R. Brüggemann — FB Physik Carl von Ossietzky Universität Oldenburg, 26111 Oldenburg
Der Photostromabfall und die charakteristische Responsezeit τres nach Abschalten einer stationären Bestrahlung werden in amorphen Halbleitern bestimmt durch die Nettoemission der im Leitungsbandausläufer lokalisierten Elektronen. Experimentell wird eine sublineare Abhängigkeit der Responsezeit von der vorhergehenden Generationsrate G beobachtet gemäß G−β, wobei β einen charakteristischen Übergang von niedrigen zu hohen Generationsraten zeigt. In Erweiterung des Rose–Modells für den Photostromabfall wird eine Erklärung des Übergangs vorgestellt.