Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.28: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Spektrale Quanteneffizienz von a-Si:H Dioden unter Biasbeleuchtung — •T. Binnewies, T. Unold, R. Brüggemann und G.H. Bauer — Fachbereich Physik, Carl von Ossietzky Universität Oldenburg

Bei der Messung der spektralen Quanteneffizienz von p-i-n Dioden aus amorphem Silizium tritt unter monochromatischer Biasbeleuchtung unter geeigneten Bedingungen ein Photogating-Effekt auf. Mit Photogating wird hier die Verstärkung der Quanteneffizienz einer Kleinsignal-Beleuchtung mit Hilfe einer Zusatzbeleuchtung bezeichnet. Dieser Effekt hängt wesentlich von dem unter stark absorbierter Strahlung entstehenden Bereich schwachen internen Feldes nahe dem p-i Übergang und damit von den experimentellen Parametern Probendicke, Defektdichte, Spannung, Anregungsdichte und Temperatur ab. Photogating kann für genügend hohe Defektdichten selbst in sehr dünnen (0,5 µm) Dioden nachgewiesen werden. Experimentelle Ergebnisse für unterschiedlich dicke p-i-n Dioden werden vorgestellt und mit numerischen Simulationen verglichen. Die Möglichkeit der Analyse der internen Feldverteilung mit Hilfe des Photogating-Effektes wird diskutiert.