Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.29: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Phononen Zustandsdichte und Lokalisierungseigenschaften verschiedener Strukturmodelle für a-Si — •F. Finkemeier und W. von Niessen — Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Technische Universität Braunschweig, Hans Sommer Straße 10, D-38106 Braunschweig

Es werden verschiedene Strukturmodelle für a-Si betrachtet, wobei ein kontinuierliches zufälliges Netzwerk als Ausgangspunkt benutzt wird. Durch die Verwendung eines conjugate-gradient Verfahrens zur Relaxation der Modelle und des Lanczos Verfahrens zur Diagonalisierung der Kraftkonstantenmatrix werden große Systeme (10000 Atome) zugänglich. Bei allen Berechnungen finden semiempirische Potentiale Anwendung, deren harmonische Näherung zur Ermittlung der Phononen Eigenschaften dient. Die Lokalisierung bzw. Delokalisierung der Zustände wird mit Hilfe verschiedener Skalenverfahren untersucht. Die strukturellen Eigenschaften und die berechneten Phononen Zustandsdichten werden in guter Übereinstimmung mit experimentellen Ergebnissen erhalten. Bei der Betrachtung der Lokalisierung zeigt sich ein deutlicher Einfluß der Defektkonzentration des Modells. Jedoch liegt Lokalisierung stets nur an der oberen Bandkante der Zustandsdichte vor, während die in anderen Energiebereichen bei kleinen Systemgrößen scheinbar vorliegende Lokalisierung mit Hilfe der Skalenverfahren als finite-size Effekt erkannt wird.