Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.30: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Elektronische Zustandsdichten und Lokalisierungseigenschaften verschiedener Strukturmodelle für a-Si und a-Si:H — •S. Knief¹, Th. Koslowski² und W. von Niessen¹ — ¹Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Technische Universität Braunschweig, Hans-Sommer-Str. 10, D-38106 Braunschweig — ²Institut für Physikalische und Elektrochemie I, Universität Karlsruhe, Kaiserstr. 12, D-76128 Karlsruhe

Ausgehend von einem kontinuierlichen zufälligen Netzwerk wird gezeigt, wie sich die elektronischen Eigenschaften eines Strukturmodells durch den gezielten Einbau verschiedenartiger Defekte (dangling-bonds, floating-bonds, Doppelbindungen und Mikrolöcher) verändern. Die Berechnung der Elektronenstruktur erfolgt mit einer tight-binding (Anderson) Näherung. Zur Analyse des lokalisierten/ausgedehnten Charakters der Zustände werden verschiedene Skalenverfahren eingesetzt. Die Ergebnisse für die verschiedenen Strukturmodelle zeigen eine gute Übereinstimmung mit dem Experiment bezüglich der Struktur der beiden Energiebänder und der Mobilitätskanten. Die Absättigung der verschiedenen Defekte mit Wasserstoff führt zu einem Strukturmodell für a-Si:H, das sowohl die Lage der Mobilitätskanten als auch das experimentell gefundene Auslaufverhalten der Bänder wiedergeben kann.