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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.31: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Eigenschaften von a-Si1−x Cx:(O,H)–Dünnfilmen hergestellt aus Triethylsilan — •J. Niemann und W. Bauhofer — AB Materialien der Mikroelektronik, TU Hamburg–Harburg, Martin–Leuschel–Ring 16, D–21071 Hamburg

a-Si1−x Cx:(O,H)–Filme, die in einem PECVD–Prozeß aus flüssigen Organosilanen hergestellt wurden, zeigen eine Reihe physikalisch und technologisch interessanter Eigenschaften, z.B. UV–angeregte PL, geringe Selbstabsorption im Bereich der sichtbaren Lumineszenz [1].
Wir haben in einem konventionellen 13,56 MHz PECVD–Reaktor amorphe Dünnfilme aus dem Organosilan Triethylsilan (TrES) hergestellt. Die Eigenschaften dieser Schichten werden mit verschiedenen physikalischen Methoden (z.B. FTIR–Spektroskopie, optische Transmission, PL–und PLAS–Messungen, Brechungsindex–und Dämpfungsmessungen an Dünnfilmwellenleitern) untersucht. Außerdem sollen die Eigenschaften dieser Filme mit Schichten verglichen werden, die aus anderen Organosilanen ( z.B. Hexamethyldisilazan (HMDSN), Hexamethyldisilan (HMDS) ) abgeschieden wurden.
Bei hinreichend großem Brechungsindex und geringer Dämpfung können Dünnfilme aus TrES als Wellenleitermaterial für integrierte UV–Detektoren auf Si–Substraten verwendet werden.

[1] D. Rüter, S. Rolf, W. Bauhofer, Appl. Phys. Lett., 67(2), 1, 1995

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