Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.33: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Wachstum von mikrokristallinem Silizium hergestellt mit der Layer-by-Layer Methode — •O. Vetterl, L. Houben, P. Hapke, F. Finger, R. Carius, and H. Wagner — Institut f"ur Schicht– und Ionentechnik, Forschungszentrum J"ulich GmbH, D-52428 J"ulich

Zur Untersuchung des Wachstums wurde mikrokristallines Silizium (µc-Si:H) mit einem Layer-by-Layer (LbL) PECVD-Proze"s hergestellt. Als Substrate dienten dabei Glas (Corning 7059), a-Si:H und c-Si (mit nat"urlichem Oxid). Im hier verwendeten LbL-Verfahren werden d"unne Schichten amorphen Siliziums (typ. einige nm) durch Zersetzung von Silan in einer VHF-Gasentladung (27-95 MHz) abgeschieden und nachfolgend mit einem Wasserstoffplasma behandelt, wobei sich unter geeigneten Bedingungen kristalline Volumenbereiche bilden. Durch mehrfache Wiederholung von Abscheidung und H₂-Behandlung entstehen hinreichend dicke Schichten, deren Struktur mit Raman-Spektroskopie und Transmissionselektronenmikroskopie charakterisiert wurde. Die mit dem LbL-Verfahren hergestellten Schichten zeigen bez"uglich der Struktur und des Nukleationsverhaltens "ahnliche Merkmale wie kontinuierlich hergestellte Schichten. Der Einflu"s des Substrates und der Proze"sparameter Plasmaanregungsfrequenz, L"ange der Wasserstoffbehandlung, Zahl der Wiederholungen und Substrattemperatur wird anhand von g"angigen Wachstumsmodellen f"ur (kontinuierlich hergestelltes) µc-Si:H diskutiert.