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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.34: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

a-Si1−xCx:H Dünnschichten als Szintillatorfläche in UV-Sensoren — •J. Seekamp1, O. Liepelt1, J. Henneberg1, B. Wicht2, J. Niemann1 und W. Bauhofer11Arbeitsbereich Materialien der Mikroelektronik, Technische Universität Hamburg-Harburg, D-21071 Hamburg — 2AMZ Hamburg GmbH, Harburger Schloßstrasse 6-12, D-21079 Hamburg

a-Si1−xCx:H Dünnschichten mit hohem Kohlenstoffgehalt (x>0.6), abgeschieden in einem PECVD Prozeß aus flüssigen Organosilanen, zeigen eine Photolumineszenz bei 2,4eV bis 2,75eV, d.h. im blauen und grünen Spektralbereich, die mit maximaler Effizienz im Ultravioletten angeregt wird. Das in den Dünnschichten entstandene PL-Licht wird in der Schicht kaum absorbiert. Die Filme eignen sich mithin als Wellenleiter für Szintillationsdetektoren.
In diesem Beitrag werden neben den Eigenschaften der von uns untersuchten Schichten zwei Typen integrierter UV-Sensoren vorgestellt und charakterisiert. Die erste Art Sensoren hat dabei Abmessungen in der Grössenordnung Millimeter und arbeitet mit den im Arbeitsbereich hergestellten a-Si1−xCx:H Dünnschichten. Der zweite Typ nutzt als Szintillationsfilm den ebenfalls aus Organosilanen abgeschiedenen Isolator zwischen den beiden Metallagen eines Standard-0,8µm- BiCMOS-ASIC-Prozesses und ist zusammen mit einem Verstärker integriert.

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