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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.37: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Wachstum und "Atzen an der Grenzfl"ache von orientierten CVD Diamantschichten auf Silizium — •A. Bergmaier¹, G. Dollinger¹, A. Fl"oter², and H. G"uttler² — ¹TU München, Physik-Department E12, James-Franck-Stra"se, 85748 Garching — ²Daimler–Benz AG, Forschungszentrum Ulm, W.–Runge Str. 11, D–89013 Ulm, Germany

Um mehr Informationen "uber orientierte Bekeimung und die erste Phase des Wachstums bei der CVD Diamantsynthese zu erhalten, wurde erstmals die Menge aller abgeschiedenen Elemente, wie z.B. H, C, N, O, nach verschiedenen Bekeimungs– und Wachstumszeiten quantitativ vermessen. Die Messungen wurden mittels hochaufl"osender elastic recoil detection (ERD) am M"unchner Tandembeschleuniger durchgef"uhrt.

Der Bias–unterst"utzte Bekeimungsschritt wurde mit ¹³C Methan durchgef"uhrt, um auch nach einer gewissen Wachstumsphase noch ein separiertes Kohlenstoffsignal der Bekeimungsschicht zu erhalten. Damit kann die Entwicklung der Bekeimungsschicht auch nach dem Aufwachsen einer zus"atzlichen ¹²C Diamantschicht weiterhin verfolgt werden.

Wachstums– und "Atzraten wurden aus der Variation der verschiedenen Elementkonzentrationen mit der Wachstumsdauer bestimmt. Die Dicke der mit ¹³C markierten Bekeimungsschicht h"angt nicht von der Menge an Diamant ab, die unter Wachstumsbedingungen auf der Bekeimungsschicht abgeschieden wurde. Als eine Schlu"sfolgerung l"asst sich sagen, da"s im Gegensatz zu anderen Wachstumsmodellen eine signifikante Verringerung der Bekeimungsschicht durch "Atzprozesse nicht stattfindet.