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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.38: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Optische-DLTS-Untersuchungen an InAs Monolagen im GaAs — •R. Pickenhain, H. Schmidt und V. Gottschalch — Fak. für Physik und Chemie, Universität Leipzig, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig

GaAs MOVPE Proben, welche 0.35 bis 1.5 Monolagen (ML) InAs enthalten, wurden mittels DLTS untersucht. Es wurde ein donatorartiges Störstellenniveau MLX mit einer Bindungsenergie von (56 ± 2)  meV unterhalb des Leitungsbandes gefunden. Der Einfangquerschnitt von MLX für Elektronen erreicht ein Maximum von σn = 10−10  cm−3 für eine ML InAs, die Konzentration von MLX liegt bei 3*1014  cm−3. Optische-DLTS-Untersuchungen gestatten die Messung des Photoquerschnitts σno von MLX bei 4 K. Es ergibt sich eine Schwellenenergie von zirka 700  meV für die optische Emission von Elektronen aus dem Zustand MLX ins Leitungsband. Weiterhin erscheinen im Photoquerschnitt σno Resonanzlinien, deren Position hν von der ML-Zahl abhängt (h ν = 1.463  eV, für eine ML InAs). Diese Werte entsprechen den Photolumineszenspeaks /1/ bzw. dem Einsatz der Absorption (Photostrommessungen /2/). Die kombinierte Zustandsdichte für das System InAs1GaAs10 wird mittels Pseudopotentialmethode berechnet und zur Interpretation der gemessenen Daten herangezogen.
/1/ R.Schwabe et al., J.Appl.Phys.77, 6295 (1995)
/2/ R.Pickenhain et al., phys.stat.sol (a) 164/1 R3 (1997)

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