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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.39: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Nahfeld-Verst"arkung des photoresistiven Effektes in n-GaAs/Al-Schottky-Tunnelkontakten — •E. Zepezauer1, A.Ya. Shul’man2, I.N. Kotel’nikov2, S.D. Ganichev1, A. Ormont2, and W. Prettl11Universit"at Regensburg, Institut f"ur Experimentelle u. Angewandte Physik, 93040 Regensburg — 2Institute of Radioengineering and Electronics of the RAS, 103907 Moscow, Russia

Die Bestrahlung eines n-GaAs/Metall-Tunnel-Schottky- Kontaktes
durch die halbtransparente Metallelektrode mit FIR-Strahlung mit Frequenzen unterhalb der Halbleiter-Plasmafrequenz f"uhrt zu einer schnellen "Anderung des Tunnelwiderstandes, verursacht durch Strahlungsdruck auf das unipolare Plasma und die Rekonstruktion der selbstkonsistenten Schottky-Potentialbarriere. Dieser Effekt ist unabh"angig von der FIR-Frequenz, solange diese kleiner als die Plasmafrequenz ist, und linear mit der Intensit"at. Es wurde beobachtet, da"s mikroskopische Oberfl"achenstrukturen in der Metallelektrode als beugende Sub-Wellenl"angen-Aperturen zu einer stark superlinearen Intensit"atsabh"angigkeit der Antwort f"uhren. Die charakteristische Intensit"at am Beginn des nichtlinearen Bereiches und die St"arke der Nichtlinearit"at sind vom Durchmesser dieser Aperturen abh"angig. Es wird gezeigt, da"s diese Superlinearit"at durch Verst"arkung der ponderomotiven Kraft im Nahfeldbereich der beugenden Aperturen verursacht wird. Dabei treten Verst"arkungsfaktoren von bis zu 105 auf.

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