Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.48: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Geladene Exzitonen in schwach dotierten Halbleitern — •F.X. Bronold und H. Böttger — Institut für Theoretische Physik, Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, Universitätsplatz 2, D-39016 Magdeburg

Optische Absorptions- und Emissionsspektren von schwach n-dotierten (niederdimensionalen) Halbleitern werden häufig mit negativ geladenen Exzitonen, d.h. gebundenen Zuständen bestehend aus zwei Leitungsband-Elektronen und einem Valenzband-Loch, in Zusammenhang gebracht [1]. Die theoretische Beschreibung der Drei-Teilchen Korrelation, unter gleichzeitiger Berücksichtigung der (Interband) Coulombwechselwirkung und des Leitungsband-Fermi-Sees, ist der Gegenstand dieses Beitrages. Mit der Annahme, daß zu einem beliebigen Zeitpunkt maximal nur ein einziges virtuelles (Leitungsband) Elektron-Loch-Paar angeregt werden kann, eine Näherung, die im Grenzfall schwacher Dotierung gerechtfertigt ist, wird innerhalb eines Faddeev-Watson Entkopplungsschematas die optische Absorption für ein einfaches Zweibandmodell ausgerechnet und die Existenz bzw. optische Signatur von negativ geladenen Exzitonen diskutiert.

[1] K. Kheng et al., Phys. Rev. Lett. 71, 1752 (1993)