Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.51: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Anomale Diffusion von Bor in Silicon-on-Insulator-Substraten — •S. Pindl^1,2, E. Hammerl³ und H. von Philipsborn¹ — ¹Universität Regensburg, Fakultät Physik, 93040 Regensburg — ²Siemens AG, ZT ME 1, 81730 München — ³Siemens AG, HL MP E In, Postfach 801709, 81617 München

Silicon-on-Insulator-Substrate erscheinen sehr vielversprechend für viele CMOS-Anwendungsgebiete. Es zeigt sich jedoch, daß bei der Prozessierung auf diesen Substraten Besonderheiten gegenüber üblichen reinen Si-Substraten auftreten [1]. Im Rahmen der vorliegenden Untersuchungen wurde das anomale Diffusionsverhalten von Bor bei Oxidation und Dotierstoff-Implantation in SOI-Substraten in Abhängigkeit von der Tiefe im Silizium untersucht. Das Experiment zeigt, daß Bor in der oberen Si-Schicht von SOI-Substraten deutlich langsamer diffundiert als in üblichen reinen Si-Substraten. Mit dem Prozeß-Simulator SUPREM-IV konnten Parameter wie die Grenzflächenrekombinationsrate von Interstitials an der Silizium-Oxid-Grenzfläche und die Diffusivität von Interstitials in Silizium extrahiert werden. Es wird die Clusterbildung von Interstitials bei Ionen-Implantation und der Materialvergleich verschiedener SOI-Materialien diskutiert [2].

[1] S. Crowder, P. Griffin, C. Hsieh, G. Wei, J. Plummer, L. Allen, Appl. Phys. Lett. 64, 3264 (1994)

[2] S. Pindl, M. Biebl, E. Hammerl, H. Schäfer, H. von Philipsborn, J. Electrochem. Soc. 144, 4022 (1997)