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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.53: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

LVM-Untersuchungen an Bor-Komplexen in VGF-GaAs — •Günter Gärtner1 und Carola Hannig21TU Bergakademie Freiberg, Institut für Experimentelle Physik, Silbermannstr. 1, 09596 Freiberg — 2TU Bergakademie Freiberg, Institut für Nichteisenmetallurgie und Reinststoffe, Leipziger Str. 23, 09596 Freiberg

FTIR-Absorptionsmessungen an versetzungsarmen undotierten GaAs-Einkristallen, die nach dem Vertical-Gradient-Freeze Verfahren hergestellt wurden, werden vorgestellt. Neben den bekannten LVM-Linien für Kohlenstoff und Sauerstoff werden speziell im Wellenzahlbereich 1200 bis 1500 cm-1 mehrere Lokalmoden beobachtet, die drei verschiedenen Bor-Komplexen zugeordnet werden können. Durch den Einsatz von isotopenreinem Bortrioxid bei der Kristallzüchtung konnte eindeutig nachgewiesen werden, daß zwei dieser Komplexe aus dem Bortrioxid der Abdeckschmelze eingetragen werden und außer Bor wahrscheinlich auch Sauerstoff enthalten. Der Einfluß der Züchtungsbedingungen auf die Komplexbildung und die Korrelation zu anderen Störstellen wird diskutiert.

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