Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.55: Poster
Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A
Charakterisierung tiefer Störstellen in Halbleitern durch Tunnelionisation in Terahertzfeldern — •E. Ziemann1, S.D. Ganichev1,2, I.N. Yassievich2 und W. Prettl1 — 1Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — 2A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia
Die phononenunterstützte Tunnelionisation und andere Feldeffekte wie direktes Tunneln und der Poole-Frenkel-Effekt im elektrischen Feld der Strahlung leistungsstarker FIR-Laser bieten neue Möglichkeiten zur Charakterisierung tiefer Störstellen in Halbleitern. Durch gepulste Bestrahlung mit einem optisch gepumpten FIR-Laser lassen sich homogene elektrische Terahertzfelder hoher Intensität kontaktlos in unstrukturierten Proben erzeugen, die innerhalb großer Frequenz- und Intensitätsbereiche wie statische elektrische Felder wirken. Die Ionisation der Störstellen erfolgt durch einen thermisch aktivierten Defekt-Tunnelübergang im Konfigurationsraum, während zugleich ein Ladungsträger die durch das elektrische Feld deformierte Störstellenpotentialbarriere durchtunnelt. Die Messung des Photoleitungssignals im Terahertz-Strahlungsfeld ermöglicht auf einfache Art und Weise, Parameter wie die Vibrationsfrequenz des Störstellensystems, den Huang-Rhys-Faktor und die Ladung der Störstelle zu bestimmen. Ferner können Tunnelzeiten gemessen und die Struktur adiabatischer Potentiale von Defekten aufgeklärt werden.