Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.56: Poster
Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A
Tieftemperatur-Ausbreitungswiderstandsanalyse zur Untersuchung der Diffusion von Fremdelementen in Ge — •S. Vo"s, A. Giese, H. Bracht, N.A. Stolwijk, and H. Mehrer — Institut f"ur Metallforschung, Universit"at M"unster, Wilhelm–Klemm–Stra"se 10, D-48149 M"unster
Ge spielt als Ausgangsmaterial f"ur Halbleiteranwendungen nur eine untergeordnete Rolle, weshalb das Wissen "uber atomare Transportprozesse in diesem Halbleiter im Vergleich zu Si deutlich geringer ausf"allt. Neben diesem Gesichtspunkt verst"arkt die technologische Bedeutung von Ge/Si–Heterostrukturen das Interesse an Ge, vor allem im Hinblick auf ein tieferes Verst"andnis der Diffusionseigenschaften von Fremdelementen in Ge/Si–Strukturen, die sich in Abh"angigkeit von der Zusammensetzung stark "andern k"onnen. Um Tiefenverteilungen elektrisch aktiver Fremdatome nach Eindiffusion zu ermitteln, hat sich das Ausbreitungswiderstandsverfahren (engl. spreading–resistance technique) als sehr brauchbar erwiesen. Wegen der hohen intrinsischen Ladungstr"agerdichte ni in Ge ist das Aufl"osungsverm"ogen, insbesondere f"ur Elemente mit einer geringen L"oslichkeit, begrenzt. Das neue, hier vorgestellte Konzept der Messung von Ausbreitungswiderst"anden bei Temperaturen um 200 K erm"oglicht ein gr"o"seres Aufl"osungsverm"ogen von Tiefenprofilen elektrisch aktiver Fremdatome gegen"uber der herk"ommlichen Methode, die auf Messungen bei Raumtemperatur basiert. Erste Ergebnisse, die mit der neuen Methode ermittelt wurden, werden vorgestellt und diskutiert.