Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.57: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Diffusion von Zink in hochdotiertem n-leitenden Silicium — •A. Rodriguez Schachtrup, H. Bracht und H. Mehrer   — Institut für Metallforschung, Universität Münster, Wilhelm–Klemm–Straße 10, D-48149 Münster

Diffusionsexperimente mit radioaktivem Zink wurden in versetzungsfreien und -reichen Siliciumeinkristallen verschieden hoher Grunddotierungen von Phosphor und Arsen bei Temperaturen oberhalb von 800 ^∘C durchgeführt. Siliciumeinkristalle mit einer Versetzungsdichte im Bereich von 10⁸ bis 10⁹ cm⁻² wurden durch plastische Verformung hergestellt. Eindiffusionsprofile von Zink wurden mittels Präzisionsschleifen und anschließenden Schichtaktivitätsmessungen erfaßt. Das Diffusionsverhalten von Zink wird durch die hohe Arsen- bzw. Phosphorgrunddotierung in unterschiedlicher Weise beeinflußt. Dies deutet darauf hin, dass Paarbildungsprozesse an der Diffusion von Zink beteiligt sind. Die Beschreibung der Diffusionsprofile auf der Grundlage von Diffusionsreaktionsmechanismen ergibt effektive Diffusionskoeffizienten, die mit den an der Reaktion beteiligten Punktdefekten korreliert sind. Die Dotierungsabhängigkeit der Diffusion wird mit dem Fermi-Level Effekt erklärt und erlaubt Aussagen über die bevorzugten Ladungszustände der an der Diffusion beteiligten Punktdefekte in n-leitendem Si.