Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.5: Poster
Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A
Elektrooptische Untersuchungen höherer Bandübergänge in quaternären III-V Halbleitern InGaAsP — •C. Reh und G. Weiser — Fachbereich Physik der Philipps-Universität Marburg
Mit Hilfe von hochauflösender Elektroreflexions- (1-5.5eV) und
Reflexionsspektroskopie (1-10eV)
wurden die kritischen Punkte der Zustandsdichte
von In1−xGaxAsyP1−y Volumenhalbleitern oberhalb des
fundamentalen Gaps
bei tiefen Temperaturen untersucht.
Die Signalhöhe der Elektroreflexionsspektren bei hohen Energien ist
sehr viel geringer
als die Signalhöhe am fundamentalen
Gap E0, was auf eine größere Streurate hinweist.
Mit Hilfe der Kramers-Kronig Relation wurden ε2- und
Δε2-Spektren berechnet und deren Eigenschaften
analysiert.
Von besonderem Interesse waren die Verschiebung der Bandlücke, E1
am L-Punkt und der
zweite direkte Übergang E′0 am Γ-Punkt sowie die Variation
der Spinbahnaufspaltungen
(Δ0, Δ1) in Γ und L im Mischungssystem.
Die Ergebnisse werden mit Literaturdaten verglichen.