Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.61: Poster
Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A
Dielektrische Resonanz an Beryllium-dotiertem Silicium — •H. Schroth1, K. Laßmann1, Chr. Borgmann2 und H. Bracht2,3 — 11. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart — 2Institut für Metallforschung, Universität Münster — 3Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, USA
Nach Eindiffusion von Be in Si findet man zum einen mit Photolumineszenz isoelektronische Be-Be-Paare, die eine effektive strahlende Rekombination ermöglichen und deshalb für optoelektronische Anwendungen interessant sind, zum anderen im mittleren Infrarot Absorptionsserien von Effektive-Masse-Akzeptoren, etwa von isoliertem Be, Be-Be-Paaren, Komplexen von Be mit H und, bei entsprechender Kodotierung, auch mit D und Li. Um strukturelle Informationen über diese Defekte zu erhalten, haben wir Si:Be mit Dielektrischer Resonanz bei 24 GHz, 34 GHz und 60 GHz in Magnetfeldern bis 7 T untersucht. Dazu wurde Be bei 945∘C bis 1180∘C unter Vakuum, H2- oder D2-Atmosphäre in n- und p-Typ Si diffundiert. Wir finden mit Dielektrischer Resonanz in diesen Proben vier stark anisotrope trigonale Spektren. Ein Vergleich der Stärke dieser Spektren in verschiedenen Proben mit IR-Absorptions-Messungen legt einen Zusammenhang von zwei der Spektren mit BeH- und BeD-Paaren nahe, deren Struktur in der Vergangenheit kontrovers diskutiert wurde. Einige weitere Absorptionen mit geringer Winkelabhängigkeit könnten mit isoliertem substitutionellem Be− in Verbindung stehen.