Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.62: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Orientierungsabhängigkeit des Makroporenwachstums in n-Si — •Silke Rönnebeck, Stefan Ottow und Helmut Föll — Technische Fakultät , Uni Kiel, Kaiserstr. 2, 24143 Kiel

Durch anodische Auflösung von n-Si in Flußsäure unter Rückseitenbeleuchtung lassen sich Makroporen mit Strukturgrößen im Mikrometerbereich erzeugen [1]. Bisher wurden nahezu ausschließlich Experimente auf {100}-orientiertem Material durchgeführt und der Einfluß der Kristallorientierung des Ausgangsmaterials vernachlässigt. Zur Untersuchung der Orientierungsabhängigkeit des Makroporenwachstums wurden in dieser Arbeit speziell präparierte Si-Einkristallstücke, die eine definierte Fehlorientierung aufwiesen, eingesetzt. Die auf diesen Proben gewachsenen Makroporen wurden rasterelektronenmikroskopisch charakterisiert. Dabei wurde festgestellt, daß die Poren auch bei einer extremen Fehlorientierung des Ausgangsmaterials bevorzugt in [100]- Richtung wachsen. Mögliche Ursachen für dieses Phänomen werden diskutiert.

[1] V. Lehmann, J. Electrochem. Soc., 140, 2836 (1993).