Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.67: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Untersuchung von oberflächennahen Defekten in GaAs-Wafern nach Sägen des Einkristalls — •F. Börner¹, S. Eichler¹, A. Polity¹ und R. Hammer² — ¹Fachbereich Physik, Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, D-06099 Halle — ²Freiberger Compound GmbH, D-09599 Freiberg

Bei der Herstellung von Wafern durch Sägen des Halbleiter-Einkristalls mittels einer Diamant-Säge entstehen oberflächennahe Defekte. Die dabei entstehenden Veränderungen der optischen und elektrischen Eigenschaften des Materials sind f=FCr die Herstellung elektronischer Bauelemente unerwüscht. Die Art dieser Defekte und ihr Konzentrationsprofil wurden mittels Positronen-Lebensdauer-Spektroskopie, Annihilationsspektroskopie mit Positronen variabler Energie und Raster-Elektronenmikroskopie untersucht. Zusätzliche Ausheilexperimente geben Aufschluß über die thermische Stabilität der vorhandenen Defekte. Die Messungen mittels Raster-Elektronenmikroskop zeigen Mikro-Cracks und Mikro-Risse an der Oberfläche der Proben bis zu einer Tiefe von 6 mum. Die Positronen-Lebensdauer und die Linienform-Parameter der Doppler-Spektroskopie sowie die Ausheil-Experimente weisen auf die Existenz leerstellenartige Defekte (V_n mit n ≥ 2) in der oberflächennahen Schicht zwischen den Mikro-Cracks hin. Die Defekte konnten erst nach schrittweisem Abätzen einer Schicht von 10 µm nicht mehr detektiert werden.