Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.71: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Untersuchungen an mikrokristallinem Silizium für die Verwendung in Heterojunction Solarzellen — •Günter Grabosch¹, Dietmar Borchert² und Reza Hussein² — ¹FernUniversität Hagen, Lehrgebiet Bauelelemente der Elektrotechnik — ²FernUniversität Hagen, Lehrgebiet Bauelemente der Elektrotechnik

Mikrokristallines Silizium ist aufgrund seiner im Vergleich zum amorphen Silizium höheren elektrischen Leitfähigkeit ein mögliches Material für Emitterschichten in Heterojunction Solarzellen. Wir haben daher den Einfluß der wichtigsten Prozeßparameter auf die elektrische Dunkelleitfähigkeit der mikrokristallinen Schichten bei Raumtemperatur untersucht. Die Filme wurden mit der VHF-Technik abgeschieden. Variiert wurden der Abscheidedruck (die Leitfähigkeit steigt mit zunehmendem Druck), die Abscheidetemperatur (die Leitfähigkeit zeigt ein Maximum bei 300^∘C und die Dotierkonzentration (die Leitfähigkeit steigt mit zunehmender Phosphorkonzentration). Für die Anwendung wurde eine Heterojunction Solarzelle bestehend aus ITO / n-Typ mikrokristallinem Silizium / p-Typ 1-2 Ohmcm Cz Silizium hergestellt. Das verwendete ITO dient sowohl als Frontseitenkontakt als auch als Antireflexschicht. Die Solarzelle zeigt auf einer Fläche von 1cm² einen Kurzschlußstrom von 28.1mA, eine Leerlaufspannung von 581mV, einen Füllfaktor von 74.6 Prozent und einen Wirkungsgrad von 12.2 Prozent.