Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.72: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Silizium-Heterosolarzellen mit mikrokristalinem Emitter — •Dietmar Borchert, Günter Grabosch und Reza Hussein — FernUniversität Hagen, Lehrgebiet Bauelemente der Elektrotechnik

Silizium Heterosolarzellen der Form a-Si/c-Si erreichen Wirkungsgrade von bis zu 20 Prozent und werden mittlerweile industriell hergestellt. Bisherige Untersuchungen und Simulations rechnungen zeigen, daß der Bandoffset zwischen dem a-Si und c-Si die Eigenschaften der Solarzellen prägt. Die Verwendung von microkristallinem Material als Emitterlayer bietet zwei Vorteile. Zum einen sollte der Bandoffset klein sein, zum anderen ist die Leitfähigkeit dieser Schichten deutlich höher. Daher wurden mikrokristalline Schichten, die bei Standardfrequenz hergestellt wurden, als Emitterschichten eingesetzt. Es zeigt sich, daß hohe Ströme und Füllfaktoren erreicht werden können. Die Leerlauf spannungen lagen allerdings um bis zu 40 mV unter den Werten für vergleichbare a-Si/c-Si Heterosolarzellen. Erst der Einsatz einer intrinsischen amorphen Pufferschicht ermöglichte es hohe Leer laufspannungen von 600 mV zu erreichen. Der höchste erreichte Wirkungsgrad lag bei 13.8 Prozent. Die hergestellten Zellen zeigten keine Degradation bei Bestrahlung.