Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.73: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Defektpassivierung in CuInSe₂: Optische Untersuchungen an getemperten Dünnschichten — •Ingo Dirnstorfer¹, Detlev M. Hofmann¹, Dirk Meister¹, Franz Karg² und Bruno K. Meyer¹ — ¹I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen, 35392 Gießen — ²Siemens Solar GmbH., Postfach 460705, 80807 München

Die Photo-Lumineszenz (PL) Spektren von In-reichen CuInSe₂-Dünnschichten zeigen eine unstrukturierte Rekombination mit einer Halbwertsbreite zwischen 30 und 50 meV. Ursache für die breite Lumineszenzbande sind Potentialfluktuationen, die durch die hohe Störstellenkonzentration und starke Kompensation hervorgerufen werden. Diese Bandfluktuationen machen es sehr schwierig die dominierenden Donatoren und Akzeptoren zu charakterisieren.

Die Temperung einer In-reichen CuInSe₂-Schicht an Luft (Sauerstoff) bewirkt einen Übergang der breiten Lumineszenz in ein strukturiertes Spektrum, wie es auch in Cu-reichen Schichten auftritt. Durch elektrische und optische Messungen wird gezeigt, daß dieser Temperprozeß zu einer Passivierung von Donatoren führt. Die Kompensation nimmt dabei stark ab. Dieser Eingriff in den Defekthaushalt gibt einen ersten Einblick in die dominanten Störstellenniveaus in In-reichen und hochkompensierten CuInSe₂-Schichten.