Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.75: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Ab initio-Untersuchung des Hochdruck-Phasen"ubergangs in Si von der Diamant- in die β-Zn-Phase — •K. Gaal-Nagy, M. Schmitt, K. Karch, and D. Strauch — Institut f"ur Theoretische Physik, Universit"at Regensburg, D-93040 Regensburg

Obwohl die verschiedenen Hochdruckphasen von Si seit geraumer Zeit bekannt sind, beschr"anken sich die theoretischen Arbeiten auf die Grundzustandseigenschaften dieser Hochdruck-Phasen. In diesem Beitrag wird der Phasen"ubergang von der Diamant- in die β-Zinn-Struktur in Si untersucht. Dabei wird neben der Druckabh"abgigkeit der Grundzustandseigenschaften wie z. B. der Strukturparameter, der Bandstruktur und der Formfaktoren auch die Variation der Phononendispersionskurven unter Druck beider Strukturen bestimmt. Diese Rechnungen werden im Rahmen der Dichtefunktional- sowie der Dichtefunktionalst"orungstheorie unter Verwendung der Pseudopotentialmethode durchgef"uhrt. Die gerechneten kritischen Dr"ucke und Volumina stimmen gut mit den vorhandenen experimentellen Daten "uberein. Unsere Ergebnisse zeigen insbesondere, da"s keine der Phononmoden in der N"ahe des "Ubergangs weich wird. Au"serdem erm"oglicht uns die Berechnung der druckabh"ahngigen Phononen-Dispersionskurven die Bestimmung eines Druck-Temperatur-Phasendiagramms im Rahmen der quasiharmonischen N"aherung.