Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.76: Poster
Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A
Optische Phononen einer stark verspannten, niederdimensionalen InAs-Schicht in GaAs — •S. Reich, A. R. Goñi, A. Litvinchuk, C. Thomsen, F. Heinrichsdorff, A. Krost und D. Bimberg — Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin
Wir untersuchten die vibronischen Eigenschaften einer in GaAs eingebetteten InAs-Monolage (ML) mit Hilfe von cw-Ramanstreuung. Erstmalig gelang es uns, die für eine zweidimensionale InAs-Schicht charakteristischen confined und interface Phononen nachzuweisen, indem wir die Energie des anregenden Ti-Saphir Lasers im Bereich der Photolumineszenz der ML variierten (860 – 890 nm). Die Frequenzen der beobachteten Moden liegen zwischen 230 und 260 cm−1 und weisen damit eine deutliche Verschiebung bezüglich der InAs-Phononen im Volumenmaterial auf. Diese Verschiebung können wir zum einen auf den Effekt des confinement in der Schicht und zum anderen auf die beim pseudomorphen Wachstum eingebauten Verspannungen zurückführen. Eine genaue Kenntnis der Größe der Verspannung in niederdimensionalen Halbleitersystemen ist insbesondere für das Verständnis und die Berechnung der Bandstruktur von entscheidender Bedeutung. Ramanspektroskopie eröffnet einen direkten Weg, diese aus der Frequenzverschiebung der optischen Phononen zu bestimmen.