Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.78: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Untersuchung von Isotopeneffekten in SiC-Kristallen mittels Ramanstreuung — •F. Widulle, T. Ruf, O. Buresch und M. Cardona — Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr.1, 70569 Stuttgart

Die Verfügbarkeit von isotopisch angereicherten Halbleitern ermöglichte in jüngerer Zeit das Studium fundamentaler physikalischer Effekte, die mit den gitterdynamischen Kristalleigenschaften zusammenhängen. In Elementhalbleitern skalieren die Frequenzen aller Phononen der Brillouinzone in erster Näherung mit der Isotopenmasse. In Verbindungshalbleitern dagegen hängen sie von einer Kombination der Isotopenmassen ab, die sich mit dem Dispersionszweig und dem Wellenvektor ändert. Der Polytypismus von SiC führt zu natürlichen Übergittern mit zurückgefalteten Schwingungsmoden, aus denen sich die Phononendispersion des kubischen (3C) SiC mittels Ramanstreuung bestimmen läßt. Durch Isotopensubstitution in verschiedenen Polytypen können auch Phonon-Eigenvektoren innerhalb der Brillouinzone mit Ramanstreuung experimentell bestimmt werden. An SiC-Kristalliten aus ^natSi^natC (≈^28.11Si^12.01C) und ³⁰Si^natC wurden die Isotopenverschiebungen in den Polytypen 3C, 6H und 15R für verschiedene optische und akustische Dispersionszweige gemessen. Dies erlaubt Rückschlüsse auf den Charakter der Schwingungsmoden.