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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.79: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

IC- und GC-DFB-Laser im Materialsystem GaInAs(P)/InP — •J. Wiedmann¹, R. Schreiner¹, M. Geiger¹, J. Porsche¹, M. Jetter¹, J.L. Gentner², F. Scholz¹, and H. Schweizer¹ — ¹4. Physikalisches Institut, Universit"at Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart — ²Alcatel Alsthom Recherche, Route de Nozay, F-91460 Marcoussis

Wir berichten über die Prozeßtechnologie und das Betriebsverhalten von DFB-Lasern mit Index-(IC) und Verstärkungs-(GC) Kopplung im Wellenlängenbereich um 1550 nm. Hochbitratige Datenübertragung erfordert Einmodenlaser mit guter Seitenmodenunterdrückung und geringer dynamischer Linienbreite. Vom GC-DFB-Laser erwartet man wesentlich bessere dynamische Daten sowie eine verbesserte Ausbeute hinsichtlich Einmodenverhalten. Bis in jüngste Zeit sind GC-DFB-Laser nur sehr schwer realisierbar gewesen. Die DFB-Gitter werden durch höchstauflösende Elektronenstrahllithographie definiert und mittels schädigungsarmen Trockenätzverfahren (ECR-RIE) und naßchemischen Ätzverfahren in das Halbleitermaterial übertragen und epitaktisch überwachsen. Die Charakterisierung der Bauelemente und Prozesse erfolgt durch Messung der elektro-optischen Bauelementparameter. PL-, SEM- und AFM-Messungen dienen der unterstützenden Analyse. Erste Betriebsdaten von Breitstreifen-GC-DFB Test-Lasern sind vielversprechend hinsichtlich Ausgangsleistung und Schwelle. Es wurde im Pulsbetrieb eine Leistung von 5 mW erreicht.