Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.7: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Untersuchung der elektrischen Struktur von Ga-Leerstellen in GaP(110)-Oberfl"achen mit dem Rastertunnelmikroskop — •C. Domke, Ph. Ebert, and K. Urban — Institut f"ur Festk"orperforschung, Forschungszentrum J"ulich GmbH, D-52425 J"ulich

Es wurde die elektrische Struktur von Ga-Leerstellen auf GaP(110)-Oberfl"achen aus spannungsabh"angigen, hochaufl"osenden Rastertunnelmikroskopbildern ermittelt. Die untersuchten Ga-Leerstellen sind auf n-dotierten Oberfl"achen elektrisch neutral. In Bildern der besetzten Zustandsdichte zeigt sich bei großen Spannungen eine verringerte Zustandsdichte bei den benachbarten P-Atomen. Dies deutet auf eine Relaxation der P-Atom in die Leerstelle hin. Die bei kleinen Spannungen beobachtete erh"ohte Zustandsdichte kann auf einen lokalisierten Defektzustand zur"uckgef"uhrt werden. In Bildern der unbesetzten Zust"ande treten ebenfalls Defektzust"ande auf. Die Untersuchungen zeigen, daß die Leerstelle einen teilweise besetzten und einen unbesetzten Defektzustand in der Bandl"ucke hat. Die Ergebnisse stimmmen mit theoretischen Rechnungen der elektrischen Struktur der Ga-Leerstelle auf GaP(110)-Oberfl"achen "uberein.