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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.81: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Nahfeldmikroskopische Untersuchungen an Halbleiterlasern — •Alexander Richter, Jens W. Tomm und Christoph Lienau — Max-Born-Institut für Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, Rudower Chaussee 6, D-12489 Berlin

Der Wellenleiter von Diodenlasern - also das sogenannte optisch aktive Gebiet - ist während des Betriebes starken thermischen und daraus resultierend auch mechanischen Belastungen aus- gesetzt. Die Untersuchung der Auswirkungen dieser Einfluß größen sollte in steigendem Maße mit Methoden der optischen Spektroskopie erfolgen. Wir berichten den Einsatz eines optischen Nahfeldmikroskopes zur Realisierung verschiedener spektroskopischer Experimente mit hoher Ortsauflösung - darunter nahfeldgestützte Photo- strommessungen an Laserfacetten. Es wird methodologisch sowohl auf die Kontrasterzeugungsmecha- nismen als auch auf Grenzen der Methodik eingegangen. Experimentelle Daten und Resultate von Modellrechnugen (ray-tracing) werden verglichen. Als Anwendung wird demonstriert, wie Alterungsmechanismen an Diodenlasern identifiziert werden können.