Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.82: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Lasereigenschaften einer extrem dünnen InAs-Schicht eingebettet in GaAs — •M. Stroh, A.R. Goñi, C. Thomsen, F. Heinrichsdorff, V. Türck, A. Krost und D. Bimberg — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Die Struktur besteht aus einer 1.5 Monolagen (ML) dicken InAs-Schicht in 600 nm bulk GaAs und wurde mit metallorganischer Gas-Phasen-Epitaxie (MOCVD) hergestellt. Sie emittiert im nahinfraroten Bereich ca. 100 meV unterhalb der GaAs-Bandlückenenergie. Die Emission rührt aus der exzitonischen Rekombination zwischen an das InAs gebundenen Elektronen- und Lochzuständen her. Die Kathodolumineszenz zeigt deutlich, daß die Exzitonen durch Fluktuationen in der Monolagendicke lokalisiert werden. Ferner erhalten wir aus Photolumineszenz(PL)-Messungen im Magnetfeld eine Exzitonen-Bindungsenergie von ca. 10 meV. Durch optisches Pumpen wurde stimulierte Emission immer bei der Energie der PL-Linie, unabhängig von der Anregungsleistung, beobachtet. Dabei wird eine sehr große Materialverstärkung von G=1.0(5)×10⁴ cm⁻¹ bei 2 K und 10 kW/cm² (cw) erreicht. Unsere Ergebnisse deuten auf einen exzitonischen Mechanismus für stimulierte Emission hin.