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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.83: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Dynamisches Verhalten des Halbleiterlasers im Grenzbereich zu Instabilitäten — •D. Preißer und O. Hess — Inst. f. Technische Physik, DLR Stuttgart, Pfaffenwaldring 38-40, D-70569 Stuttgart

Viele Eigenschaften des Halbleiterlasers können bereits aufgrund reiner Bilanzgleichungen für Dichte und elektrisches Feld verstanden werden. Dies gilt i.a. nur, solange der Laser stabil läuft. Der Halbleiterlaser zeigt in Abhängigkeit einer Reihe von Parametern wie z.B.  der Ausdehnung in longitudinaler als auch transversaler Richtung Instabilitäten. Um diese charakterisieren zu können, ist eine ortsaufgelöste Theorie, unter Umständen aber auch eine mikroskopische Behandlung des Lasers notwendig, wie Simulationen zur Dynamik des Lasers im Grenzbereich zeigen.[1][2]

Der Punkt des Einsetzens solcher Intabilitäten gibt Zugang zu wichtigen Größen wie z.B.  des effektiven Dipolmoments, mit der die Ladungsträger im angeregten Halbleiter an das elektrische Feld ankoppeln.

[1] Ortwin Hess, Spatio-Temporal Dynamics of Semiconductor Lasers, (WuT-Verlag, Berlin 1993)

[2] E. Schöll, Instabilities in semiconductors: Domains, filaments, chaos in Festkörperprobleme (Advances in Solid State Physics), Vol. 26, (Vieweg, Braunschweig 1986)