Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.84: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Lateral strukturierte Ga(Al)Sb basierende Mikroresonatoren — •J. Koeth, T. Bleuel, R. Dietrich, R. Werner und A. Forchel — Lehrstuhl für Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Oberflächenemittierende Laserstrukturen mit einem GaSb dreifach Quantentopf als aktive Schicht und GaAlSb/AlSb Braggreflektoren wurden mittels MBE hergestellt. Der Einfluß des Resonators auf das Reflektionsspektrum und die Photolumineszenz und deren Abhängigkeit von Temperatur und Resonatorgüte wurden untersucht und mit Hilfe der Transfermatrix Theorie modeliert. Die Kopplung zwischen Vielfachquantenschicht und Lumineszenz der Resonatorresonanz wurde mit Hilfe temperaturabhängiger Reflektionsmessungen gezeigt.

Die Laserstrukturen wurden optisch gepumpt und deren Inversionsverhalten untersucht.

Durch laterale Strukturierung mittels trockenchemischen RIE Ätzens wurden Mikroresonatoren mit dreidimensionalem optischen Confinement hergestellt. Der Durchmesser dieser Resonatoren wurde zwischen 1µm und 10µm variiert und der Einfluß des optischen Confinements auf die Emissionseigenschaften wurden untersucht.