Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.85: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Charakterisierung von Zn-Ge-As-Verbindungen mittels Elektroreflexion — •M. Angelov¹, R. Goldhahn¹, G. Gobsch¹ und S. Schön² — ¹TU Ilmenau, Institut für Physik, PF 100565, D-98684 Ilmenau, Germany — ²ETH, Institute of Quantum Electronics, Pfingstweiderstraße 30, CH-8005 Zürich, Switzerland

ZnGeAs₂ ist ein mögliches Ausgangsmaterial für photovoltaische Anwendungen. Bei der Herstellung dieser Verbindung tritt eine starke Tendenz zum Einbau von zusätzlichem Germanium in das Kristallgitter auf. Dabei sind drei Bereiche zu unterscheiden: Für Germanium-Konzentrationen von 25 bis 30 mol% existiert ein Mischkristallsystem (ZnAs₂)_1−xGe_x mit Chalkopyrit-Struktur. Zwischen 30 und 33 mol% Germanium ändert sich die Kristallstruktur, es entsteht eine kubische Phase. Diese bildet ab 34 mol% Germanium ein Kristallgemisch mit einer zweiten kubischen Phase der Zusammensetzung Zn₂Ge₁₁As₄. Für die verschiedenen Germanium-Konzentrationen wird der Einfluß der unterschiedlichen strukturellen Eigenschaften auf die optischen Eigenschaften untersucht.