Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.87: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Wachstum von GaN und AlGaN mittels Hochtemperatur Gasphasenepitaxie — •Martin Theis, Stefan Fischer, Guido Steude, Ferdinand Anders, Friedrich Kurth, Detlev M. Hofmann und Bruno K. Meyer — I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Giessen, 35392 Giessen

Epitaktische GaN und AlGaN Schichten wurden mittels Hochtemperatur Gasphasenepitaxie (HTVPE) auf Al₂O₃ und 6H-SiC Substraten gewachsen. Als Vorstufen der HTVPE kommt NH₃ als Stickstoffquelle und das direkte Verdampfen des jeweiligen Gruppe III Elementes zur Anwendung. Daraus ergeben sich für GaN extrem hohe Wachstumsraten (250 µm/h bei T=1150^∘C), die die Herstellung von Quasivolumenschichten ermöglichen.

Die AlGaN Schichten wurden sowohl durch Verdampfen zuvor legierter Al–Ga Verbindungen, als auch durch Koverdampfen von Al und Ga hergestellt. Die Zumischung von Al unter den gleichen Wachstumsbedingungen führt zu einer signifikanten Abnahme der Wachstumsraten in den Bereich von 1 µm/h.

Der Einbau von Al wurde über das Al/Ga Mischungsverhältnis im Tiegel (Al-Anteil 0–100 %) und die Wachstumstemperatur variiert. Die strukturellen Eigenschaften der GaN und AlGaN Schichten wurden mittels Röntgenbeugung und die optischen Eigenschaften mit Tieftemperatur Photolumineszenz untersucht.