Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.88: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

In situ Raman-Untersuchung des Wachstums von C₆₀ Schichten auf GaAs(100), Si(100), Si(111) und Au — •R. Kaiser, T. Werninghaus, D. Drews, and D.R.T. Zahn — Institut f"ur Physik, Professur f"ur Halbleiterphysik, TU Chemnitz, D-09107 Chemnitz

D"unne C₆₀-Schichten wurden auf GaAs(100), Si(100), Si(111) und Au abgeschieden. Das C₆₀ wurde dabei als Molekül aus einer Knudsenzelle im Ultrahochvakuum (UHV) verdampft. Dieser Depositionsprozeß wurde online und in situ mit Ramanspektroskopie in der spektralen Region der pentagonalen Pinch- (A_g(2))-Mode zwischen 1300 cm⁻¹- 1600 cm⁻¹ beobachtet. Nach dem anfänglichen Anwachsen der A_g(2)-Mode bei einer Frequenzposition von 1468 cm⁻¹ verschiebt sich mit fortschreitendem Wachstum die Frequenzposition nach 1458 cm⁻¹. Während die erste Struktur reinem C₆₀ zugeschrieben wird, kann die zweite dem polymerisierten C₆₀ zugeordnet werden. Die Linienform der Bande von polymerisiertem C₆₀ zeigt eindeutig eine Variation in Abhängigkeit von der Wachstumstemperatur und der eingestrahlten Laserleistung. Eine Diskussion dieser Linienformver"anderungen wird gegeben unter der Ber"ucksichtigung der L"ange der Polymerketten, ihrer Form und ihrer Wechselwirkung. Dazu wird ein Modell der Polymerisation vorgestellt. Diese Ergebnisse werden mit theoretischen Molekulardynamik-Simulationen der Ramanspektren verglichen [1].

[1] G. Porezag, G. Jungnickel, Th. Frauenheim, G. Seifert, A. Ayuela und M.R. Pederson, Appl. Phys. A 64 (1997) 321