Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.8: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Untersuchungen zum reaktives Ionenstrahlätzen von InSb und InAs — •Frank Frost¹, Axel Schindler¹, Frieder Bigl¹ und Gerd Lippold² — ¹Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstr. 15, D-04318 Leipzig — ²Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentalphysik II, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig

Es werden Untersuchungen zum reaktiven Ionenstrahlätzen (RIBE) von InSb und InAs mit N₂/Ar-Gasgemischen in Abhängigkeit von der Gaszusammensetzung, Ionenenergie, Stromdichte und Ätzzeit vorgestellt. Im Vergleich zum Ionenstrahlätzen mit reinem Ar führt die Verwendung von N₂ als Ätzgas bei der Strukturierung von InSb zu um zwei Größenordnungen verringerten Oberflächenrauhigkeiten (root mean square - rms). In Gegensatz zum Ar-IBE Prozeß kann für das reaktive Ionenstrahlätzen von InSb und InAs mit Stickstoff keine Zunahme der Rauhigkeit mit zunehmender Ätzdauer beobachtet werden. Die Qualität der geätzten Oberflächen wurde mit Hilfe von AFM- und Raman-Messungen untersucht.