Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.91: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Wachstum epitaktischer Siloxenschichten — •G. A. Vogg, M. S. Brandt und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D 85748 Garching

Für optoelektronische Anwendungen der Si-Technologie ist das 2-dimensionale Si-Polymer Siloxen (Si₆O₃H₆) mit seiner direkten Bandlücke von ca. 2.5eV sehr interessant. Zur Integration von Siloxen in die Si-Technologie ist jedoch epitaktisches Wachstum unumgänglich. Ein möglicher Weg ist die Epitaxie von CaSi₂ auf ⟨111⟩-Si und die nachfolgende topochemische Reaktion mit HCl zu Siloxen. Wir verwenden hierfür die bereits vom Wachstum der Übergangsmetallsilizide bekannte Methode der reaktiven Abscheidung (RDE), bei der Ca auf das geheizte Substrat abgeschieden wird. Wie auch bei anderen Siliziden zeigt sich eine starke Abhängigkeit der Oberflächenmorphologie von den Wachstumsparametern, die auf komplexe Nukleations- und Diffusionsprozesse zurückgeführt werden kann. Bei optimaler Parameterauswahl lassen sich weitgehend homogen kristalline Schichten von einigen 100nm Dicke erzielen. Diffraktionsmessungen zeigen deren gute Orientierung, d.h. die ⟨001⟩-Ebenen des Siloxen verlaufen parallel zu den ⟨111⟩-Ebenen des Si (Breite der Rockingkurven etwa 4^o). Mit einem Ca-Frontkontakt wurden erste diodenähnliche Strukturen hergestellt und auf ihre elektronischen Eigenschaften untersucht.