Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.92: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Herstellung von Hallsensoren im GaSb/InAs Materialsystem — •Michael Ritz¹, Roland Gessner¹, Manfred Druminski¹ und Harald Heinecke² — ¹Siemens AG, ZT KM 4, Otto Hahn Ring 6, 81730 München — ²Universität Ulm, Abt. Halbleiterphysik, Albert-Einstein-Allee 45, 89069 Ulm

Mit GaSb/InAs Heterostrukturen ist man u.a. in der Lage noch schnellere und temperaturstabilere Hallsensoren als im GaAs-System herzustellen, was gerade für Anwendungen in der Automobiltechnik zwingend notwendig ist. Mittels LP MOVPE Verfahren wurden dabei mit Niedertemperatur-Bufferschichten morphologisch sehr gute GaSb Schichten auf semiisolierendem GaAs hergestellt. Mit diesem Verfahren wurde die Hauptschwierigkeit, die Überwindung der großsen Gitterfehlanpassung von 7.8% gut bewältigt. Dieses dient als Grundlage für die Untersuchung der elektrischen und optischen Eigenschaften der Einzelschichten, sowie der Herstellung von GaSb/InAs Heterostrukturen. Dabei wurden u.a. mittels REM und Magneto-Transport-Messungen der Einflußs der Dotierung und verschiedener Epitaxieparameter auf die Grenzflächeneigenschaften untersucht.