Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.98: Poster

Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A

Paramagnetische Störstellen in Si nach Implantation von Pd — •Alexander Näser¹, Wolfgang Gehlhoff¹ und Rossen A. Yankov² — ¹TU Berlin, Inst. f. Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²FZ Rossendorf, Inst. f. Ionenstrahlphysik u. Materialforschung, D-01314 Dresden

Für den Einbau der 4dn/5dn-Übergangsmetalle am Ende der Periode in das Si-Wirtsgitter und ihrer jeweiligen Elektronen- konfiguration werden gegenwärtig unterschiedliche Modelle dis- kutiert. Wir präsentieren erstmalig EPR-Messungen an Pd implantiertem Si. Die Energie betrug dabei 5-8MeV und die Dosis 5x1014cm-2. Nach einem zweistufigen Annealing/Diffusionsschritt konnten für n-Si mit einer P-Konzentration von 4x1015cm-3 zwei EPR-Spektren beobachtet werden, deren Linienlagen identisch mit zwei nach Pd-Diffusion auftretenden Spektren mit orthorhombischer bzw. trigonaler Symmetrie sind. Hierbei wird das orthorhombische Spektrum mit gx=2.0544, gy=1.9715 und gz=1.9190 dem isolierten Pd- auf substitutionellem Gitterplatz und das trigonale Spektrum mit gpa=2.021 und gse=2.126 einem PdFe-Paar zugeordnet. Beide Zentren sind erst nach optischer in situ Anregung nachweisbar. Das Umladungsverhalten beider Störstellen in Abhängigkeit von der eingestrahlten Lichtwellenlänge ist u. a. Gegenstand der Untersuchungen.