Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.99: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Elektrische Eigenschaften von Sauerstoff-implantiertem Siliciumkarbid — •Thomas Dalibor¹, Gerhard Pensl¹, Tsunenobu Kimoto² und Hiroyuki Matsunami² — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — ²Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Japan

Die elektrischen Eigenschaften Sauerstoff-implantierter 4H SiC CVD Epitaxieschichten werden mittels Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS), Admittanzspektroskopie, Halleffektmessungen und Kapazitäts-Spannungs-Messungen untersucht. Es werden zwei unterschiedliche Defekttypen beobachtet: energetisch flache donatorartige Defektzentren mit Energiepositionen von E_C − (300 ± 20) meV bis E_C − (445 ± 20) meV und energetisch tiefe akzeptorartige Defektzentren mit E_C − (760 ± 40) meV bzw. E_C − (915 ± 35) meV und E_C − (955 ± 35) meV. Die Bildung dieser Sauerstoff-korrelierten Defekte in Abhängigkeit von der implantierten Sauerstoffkonzentration wird analysiert und mit entsprechenden Sauerstoffzentren (”Thermische Donatoren”, A-Zentrum) in Silicium in Analogie gebracht und diskutiert.