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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.9: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 10:30–19:00, A

Untersuchungen zur Arsen-Diffusion in Galliumphosphid — •J. Pöpping¹, G. Bösker¹, N.A. Stolwijk¹, A. Burchard² und H. Mehrer¹ — ¹Institut für Metallforschung, Universität Münster, Wilhelm–Klemm–Straße 10, D-48149 Münster — ²ISOLDE Collaboration, CERN, CH-1211 Geneva 23

Während die Selbst- und Fremddiffusion in dem Elementhalbleiter Silizium schon recht ausführlich untersucht wurde, besteht diesbezüglich ein großer Wissensmangel bei III-V-Halbleiterverbindungen. Dies gilt insbesondere auch für Galliumphosphid, eine Verbindung, die auch in GaAs/GaP-Heterostrukturen zunehmend Anwendung findet.
Wir haben erstmals Diffusionsexperimente mit dem Gruppe-V-Element Arsen in GaP durchgeführt. Hierzu wurde das Radioisotop ⁷³As an der ISOLDE, einer Einrichtung des CERN, eigens implantiert. Diffusionsglühungen wurden bei Temperaturen um 1100^∘C durchgeführt. Die erzeugten Konzentrations-Weg-Profile wurden mittels Schichtenteilung durch Ionenstrahlzerstäubung und Messungen der Radioaktivität der abgetragenen Schichten bestimmt.
Numerische Anpassungen der gemessenen Profile, wobei sowohl die Ausdiffusion der Tracer-Atome als auch das Gesamtabdampfen der Kristalloberfläche mit in die Auswertung einbezogen wurden, lieferten erstmals Diffusionskoeffizienten von Arsen in GaP.